NXP Semiconductors Avalanche Diode BAS35,215 SOT-23-3 90 V 250 mA

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Art.-Nr.:
Q993021
Hersteller-Nr.:
BAS35,215
EAN:
2050003438612

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NXP Semiconductors, BAS35, 215, 568-6919-1-ND

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
BAS35,215
Gehäuse:
SOT-23-3
Herst.-Abk.:
NXP
IF:
250 mA
Sperrspannung U(R):
90 V
UF:
1 V
Kategorie:
Avalanche Diode
Durchlassspannung Referenz:
200 mA
Sperrstrom I(r):
100 nA
Sperrstrom I(r) - Referenz:
90 V
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Sperrverzugszeit T(rr):
50 ns
RoHS-konform:
Ja
Marke:
NXP Semiconductors

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