NXP Semiconductors Z-Diode BZT52H-C6V8,115 Gehäuseart (Halbleiter) SOD-123F Zener-Spannung 6.8 V Le

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Art.-Nr.:
Q991001
Hersteller-Nr.:
BZT52H-C6V8,115
EAN:
2050003437653

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NXP Semiconductors, BZT52H-C6V8, 115, 568-3784-1-ND

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
BZT52H-C6V8,115
Hersteller:
NXP Semiconductors
Herst.-Abk.:
NXP
Kategorie:
Z-Diode
Z.-Spg. (UZ):
6.8 V
Z.-Spg. Toleranz:
5 + -5 %
Ptot:
375 mW
Impedanz:
8 Ω
Impedanz Referenz:
5 mA
UF:
900 mV
Durchlassspannung Referenz:
10 mA
Betriebstemperatur (min.):
-65 °C
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Konfiguration:
einfache Diode
Rest-Sperrstrom:
2 µA
Rest-Sperrstrom Referenz:
4 V
Z.-Spg. max.:
7.1 V
Z.-Spg. min.:
6.5 V
Gehäuse:
SOD-123F
Montageart:
Oberflächenmontage
RoHS-konform:
Ja
Marke:
NXP Semiconductors

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