NXP Semiconductors Z-Diode TDZ6V2J,115 Gehäuseart (Halbleiter) SOD-323F Zener-Spannung 6.2 V Leistu

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Art.-Nr.:
Q992791
Hersteller-Nr.:
TDZ6V2J,115
EAN:
2050003435673

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NXP Semiconductors, TDZ6V2J, 115, 568-11306-1-ND

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
TDZ6V2J,115
Hersteller:
NXP Semiconductors
Herst.-Abk.:
NXP
Kategorie:
Z-Diode
Z.-Spg. (UZ):
6.2 V
Z.-Spg. Toleranz:
2 + -2 %
Ptot:
500 mW
Impedanz:
10 Ω
Impedanz Referenz:
5 mA
UF:
1.1 V
Durchlassspannung Referenz:
100 mA
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Konfiguration:
einfache Diode
Rest-Sperrstrom:
3 µA
Rest-Sperrstrom Referenz:
4 V
Z.-Spg. max.:
6.3 V
Z.-Spg. min.:
6.1 V
Gehäuse:
SOD-323F
Montageart:
Oberflächenmontage
RoHS-konform:
Ja
Marke:
NXP Semiconductors

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