NXP Semiconductors Z-Diode NZH9V1B,115 Gehäuseart (Halbleiter) SOD-123F Zener-Spannung 9.1 V Leistu

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5 Stück
Art.-Nr.:
Q995901
Hersteller-Nr.:
NZH9V1B,115
EAN:
2050003434850

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NXP Semiconductors, NZH9V1B, 115, 568-6376-1-ND

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
NZH9V1B,115
Hersteller:
NXP Semiconductors
Herst.-Abk.:
NXP
Kategorie:
Z-Diode
Z.-Spg. (UZ):
9.1 V
Z.-Spg. Toleranz:
2 + -2 %
Ptot:
500 mW
Impedanz:
8 Ω
Impedanz Referenz:
20 mA
UF:
900 mV
Durchlassspannung Referenz:
10 mA
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Konfiguration:
einfache Diode
Rest-Sperrstrom:
500 nA
Rest-Sperrstrom Referenz:
6 V
Z.-Spg. max.:
9.3 V
Z.-Spg. min.:
8.9 V
Gehäuse:
SOD-123F
Montageart:
Oberflächenmontage
RoHS-konform:
Ja
Marke:
NXP Semiconductors

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