NXP Semiconductors Z-Diode BZV55-B3V9,115 Gehäuseart (Halbleiter) SOD-80 MiniMELF Zener-Spannung 3.

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Art.-Nr.:
Q999801
Hersteller-Nr.:
BZV55-B3V9,115
EAN:
2050003434355

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NXP Semiconductors, BZV55-B3V9, 115, 568-11160-1-ND

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
BZV55-B3V9,115
Hersteller:
NXP Semiconductors
Herst.-Abk.:
NXP
Kategorie:
Z-Diode
Z.-Spg. (UZ):
3.9 V
Z.-Spg. Toleranz:
2 + -2 %
Ptot:
500 mW
Impedanz:
90 Ω
Impedanz Referenz:
5 mA
UF:
1.1 V
Durchlassspannung Referenz:
100 mA
Betriebstemperatur (min.):
-65 °C
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Konfiguration:
einfache Diode
Rest-Sperrstrom:
3 µA
Rest-Sperrstrom Referenz:
1 V
Z.-Spg. max.:
4 V
Z.-Spg. min.:
3.8 V
Gehäuse:
SOD-80 MiniMELF
Montageart:
Oberflächenmontage
RoHS-konform:
Ja
Marke:
NXP Semiconductors

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