NXP Semiconductors Z-Diode BZT52H-B68,115 Gehäuseart (Halbleiter) SOD-123F Zener-Spannung 68 V Leis

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Art.-Nr.:
Q997391
Hersteller-Nr.:
BZT52H-B68,115
EAN:
2050003433204

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NXP Semiconductors, BZT52H-B68, 115, 568-11150-1-ND

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
BZT52H-B68,115
Hersteller:
NXP Semiconductors
Herst.-Abk.:
NXP
Kategorie:
Z-Diode
Z.-Spg. (UZ):
68 V
Z.-Spg. Toleranz:
5 + -5 %
Ptot:
375 mW
Impedanz:
160 Ω
Impedanz Referenz:
2 mA
UF:
900 mV
Durchlassspannung Referenz:
10 mA
Betriebstemperatur (min.):
-65 °C
Betriebstemperatur (max.):
+200 °C
Konfiguration:
einfache Diode
Rest-Sperrstrom:
50 nA
Rest-Sperrstrom Referenz:
47.6 V
Z.-Spg. max.:
71.4 V
Z.-Spg. min.:
64.6 V
Gehäuse:
SOD-123F
Montageart:
Oberflächenmontage
RoHS-konform:
Ja
Marke:
NXP Semiconductors

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