NXP Semiconductors Z-Diode BZX585-C22,115 Gehäuseart (Halbleiter) SOD-523 Zener-Spannung 22 V Leist

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NXP Semiconductors Z-Diode BZV55-C5V1,115 Gehäuseart (Halbleiter) SOD-80 MiniMELF Zener-Spannung 5. NXP Semiconductors 0,23 0,23 0,23 0,22
NXP Semiconductors Z-Diode BZV55-C5V1,135 Gehäuseart (Halbleiter) SOD-80 MiniMELF Zener-Spannung 5. NXP Semiconductors 0,29 0,29 0,29 0,28
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NXP Semiconductors Z-Diode BZX384-B3V3,115 Gehäuseart (Halbleiter) SOD-323 Zener-Spannung 3.3 V Lei NXP Semiconductors 0,21 0,21 0,21 0,20
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NXP Semiconductors Z-Diode BZX84-A3V3,215 Gehäuseart (Halbleiter) SOT-23 Zener-Spannung 3.3 V Leist NXP Semiconductors 0,57 0,56 0,55 0,54
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NXP Semiconductors Z-Diode BZX79-C5V1,133 Gehäuseart (Halbleiter) Axial Zener-Spannung 5.1 V Leistu NXP Semiconductors 0,26 0,26 0,26 0,25
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Hersteller-Nr.:
BZX585-C22,115
EAN:
2050003435710
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NXP Semiconductors, BZX585-C22, 115, 568-1787-1-ND

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: NXP Semiconductors
Marke: NXP Semiconductors
Kategorie: Z-Diode
Konfiguration: einfache Diode
Gehäuse: SOD-523
Herst.-Abk.: NXP
Typ: BZX585-C22,115
Montageart: Oberflächenmontage
UF: 1.1 V
Durchlassspannung Referenz: 100 mA
Impedanz: 55 Ω
Impedanz Referenz: 5 mA
Betriebstemperatur (max.): +150 °C
Betriebstemperatur (min.): -65 °C
Ptot: 300 mW
Rest-Sperrstrom: 50 nA
Rest-Sperrstrom Referenz: 15.4 V
Z.-Spg. (UZ): 22 V
Z.-Spg. max.: 23.1 V
Z.-Spg. min.: 20.9 V
Z.-Spg. Toleranz: 5 + -5 %
RoHS-konform: Ja

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