Vishay Z-Diode BZG03C10TR Gehäuseart (Halbleiter) DO-214AC Zener-Spannung 10 V Leistung max. P(tot)

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Vishay Z-Diode BZG03C30TR Gehäuseart (Halbleiter) DO-214AC Zener-Spannung 30 V Leistung max. P(tot) Vishay 0,53 0,51 0,50 0,49
Vishay Z-Diode BZG03C33TR Gehäuseart (Halbleiter) DO-214AC Zener-Spannung 33 V Leistung max. P(tot) Vishay 0,75 0,74 0,72 0,71
Vishay Z-Diode BZG03C56TR Gehäuseart (Halbleiter) DO-214AC Zener-Spannung 56 V Leistung max. P(tot) Vishay 0,53 0,51 0,50 0,49
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Vishay Z-Diode TZMC12-GS08 Gehäuseart (Halbleiter) SOD-80 MiniMELF Zener-Spannung 12 V Leistung max Vishay 0,40 0,39 0,38 0,36
Vishay Z-Diode TZMC15-GS08 Gehäuseart (Halbleiter) SOD-80 MiniMELF Zener-Spannung 15 V Leistung max Vishay 0,40 0,39 0,38 0,36
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Hersteller-Nr.:
BZG03C10TR
EAN:
2050003212083
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Vishay, BZG03C10TR, BZG03C10CT-ND, z diode, z-diode

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Technische Daten

Hersteller: Vishay
Marke: Vishay
Kategorie: Z-Diode
Konfiguration: einfache Diode
Gehäuse: DO-214AC
Herst.-Abk.: VIS
Typ: BZG03C10TR
Montageart: Oberflächenmontage
UF: 1.2 V
Durchlassspannung Referenz: 500 mA
Impedanz: 4 Ω
Impedanz Referenz: 50 mA
Betriebstemperatur (max.): +150 °C
Betriebstemperatur (min.): -65 °C
Ptot: 1.25 W
Rest-Sperrstrom: 10 µA
Rest-Sperrstrom Referenz: 7.5 V
Z.-Spg. (UZ): 10 V
Z.-Spg. max.: 10.6 V
Z.-Spg. min.: 9.4 V
Z.-Spg. Toleranz: 6 + -6 %
RoHS-konform: Ja

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